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4GAMERにより半導体は，プロセス技術の進化とともにその性能を大幅に向上させてきた。とくにGPUは，45nmや32nmプロセスといった，半導体業界におけるメジャープロセス――世代ごとに面積が半分になる縮小率になっており，半導体製造装置なども，このメジャープロセス向けに設計されている――の中間世代であり，例えば65nm世代における55nm，45nm世代における40nmといった「ハーフノード」を利用することで，ほぼ毎年，ストリーミングプロセッサ（＝シェーダプロセッサ）の数を増やして性能向上を図ったり，省電力化を推し進めてきたりしたというのは，読者もご存じのとおりだ。

　しかし，45nmプロセス世代を境として，かつてPentium 4～D時代にIntelを苦しめたリーク電流の問題が再び深刻化，新素材の採用や製造工程の最適化などが必要となり，半導体プロセスの進化はややスローダウンしている。AMDとNVIDIAが，直近のGPU製品で，2世代続けてTSMCの40nmプロセスを採用せざるを得なかったのも，ファウンドリ（Foundry，半導体製造廠）におけるプロセス技術移行のペースが鈍化しているためだ。
　今後も，プロセス技術の進化は2年～2年半か，それ以上のサイクルになると見られており，ファブレス半導体メーカーは，半導体製造戦略を見直さざるを得ない状況に置かれている。

　それは，GLOBALFOUNDRIESの分離によってファブレスメーカーに戻り，CPUに最適化されたプロセスを持つGLOBALFOUNDRIESでCPUを，単体GPUの製造では圧倒的なシェアを持つTSMC（Taiwan Semiconductor Manufacturing Company）でGPUをと，ファウンドリを使い分けているAMDにとっても同様である。というのも，GLOBALFOUNDRIESとTSMCがいずれも，32nmプロセス世代への移行で苦戦を強いられているからだ。

　その背景にあるのは，「半導体製造プロセスの微細化に伴って，これまでトランジスタのゲート絶縁膜に採用されてきた二酸化ケイ素（SiO2）では，膜の厚さが薄くなりすぎてリーク電流が増えてしまう」という問題。そこでGLOBALFOUNDRIESとTSMCの両社は，32nmプロセス世代から，半導体ゲート電極の絶縁膜に，高誘電率かつ十分な厚さを実現できるHigh-k素材を採用すべく，開発を進めてきた。当初，2010年中に32nm/28nmプロセスへの移行を計画していた両社が，スケジュールの大幅な後ろ倒しを余儀なくされたのは，このHigh-kメタルゲートの採用に手こずったからだ。

　ただ，45nmプロセスでHigh-kメタルゲートを採用済みのIntelに対抗するため，プロセスの進化を加速させる必要もある。そこでGLOBALFOUNDRIESは，当初計画していた32nmバルクプロセスなどの開発をキャンセルし，その先のハーフノード世代となる28nmプロセスの開発に注力。さらに，次のメジャープロセスとなる22nmプロセスもスキップし，ハーフノードたる20nmプロセスを採用することで，Intelとの差を詰める意向だ。そして，TSMCも，28nmプロセス以降で，GLOBALFOUNDRIESと同じ“ハーフノード戦略”を採ることを明らかにしている。

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